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Re: JFET-TR

 投稿者：うっかりはぢべえ  投稿日：2009年 2月 8日(日)14時05分18秒 		返信・引用
  終段はダーリントンの方がいいですね。  

Re: JFET-TR

 投稿者：うっかりはぢべえ  投稿日：2009年 2月 8日(日)14時02分59秒 		返信・引用
  VCE-IC特性です｡
 

Re: JFET-TR

 投稿者：うっかりはぢべえ  投稿日：2009年 2月 8日(日)14時00分47秒 		返信・引用
  では、トランジスタでも同じですね｡
 

Re: JFET-TR

 投稿者：うっかりはぢべえ  投稿日：2009年 2月 8日(日)13時55分0秒 		返信・引用
  これはVDD-ID特性です｡
 

Re: JFET-TR

 投稿者：うっかりはぢべえ  投稿日：2009年 2月 8日(日)13時52分47秒 		返信・引用
  したがって,JFETはまったく関係なかったのでこういう風にしたほうが分かりやすいでしょう｡
 

Re: JFET-TR

 投稿者：うっかりはぢべえ  投稿日：2009年 2月 8日(日)13時50分29秒 		返信・引用
  2SK30は、電圧電流変換ですね｡すると、2SA1015の電流が電源電圧によって比例して増えていることが分かります｡これが、MOSFETのVGS-ID特性で拡大されているわけですね｡  

Re: JFET-TR

 投稿者：うっかりはぢべえ  投稿日：2009年 2月 8日(日)13時46分21秒 		返信・引用
  また、N-MOSFETのVGSとIDの関係はこうなっています｡
 

Re: JFET-TR

 投稿者：うっかりはぢべえ  投稿日：2009年 2月 8日(日)13時43分58秒 		返信・引用
  また、2SK30のVDD,IDD特性はこうなっています｡
 

Re: JFET-TR

 投稿者：うっかりはぢべえ  投稿日：2009年 2月 8日(日)13時41分54秒 		返信・引用
  MOS-FETのゲート電圧はこうなっています｡
 

Re: JFET-TR

 投稿者：うっかりはぢべえ  投稿日：2009年 2月 8日(日)13時39分57秒 		返信・引用
  では、どうして3極管特性に近くなるのでしょう｡
 

Re: クロスオーバーはなぜ歪むか

 投稿者：うっかりはぢべえ  投稿日：2009年 2月 7日(土)09時22分19秒 		返信・引用 編集済
  これにより,THDが1.67%になります｡高調波歪を示します｡
 

Re: クロスオーバーはなぜ歪むか

 投稿者：うっかりはぢべえ  投稿日：2009年 2月 7日(土)09時06分53秒 		返信・引用
  スイッチングを2KHzでOFFを1%(5uS)にしてみるとこうなります｡
 

Re: JFET-TR

 投稿者：うっかりはぢべえ  投稿日：2009年 2月 5日(木)22時05分29秒 		返信・引用
  THDは４％でした。高調波歪率です｡
 

Re: JFET-TR

 投稿者：うっかりはぢべえ  投稿日：2009年 2月 5日(木)22時00分33秒 		返信・引用
  出力インピーダンスです｡
 

Re: JFET-TR

 投稿者：うっかりはぢべえ  投稿日：2009年 2月 5日(木)21時58分44秒 		返信・引用
  ロードラインです｡
 

Re: JFET-TR

 投稿者：うっかりはぢべえ  投稿日：2009年 2月 5日(木)21時56分51秒 		返信・引用
  出力電力です｡
 

Re: JFET-TR

 投稿者：うっかりはぢべえ  投稿日：2009年 2月 5日(木)21時55分2秒 		返信・引用
  まずｆ特です。MOSより高域は伸びます｡
 

Re: JFET-TR

 投稿者：うっかりはぢべえ  投稿日：2009年 2月 5日(木)21時52分37秒 		返信・引用
  これは,前回のMOSと同じトランス仕様ですが、JFET-TRの出力インピーダンスが20Ωなのでこうなって16Ω負荷です｡
 

Re: 縦型カレントミラー

 投稿者：うっかりはちべえ  投稿日：2009年 2月 5日(木)21時09分42秒 		返信・引用
  高調波歪率です｡
 

Re: 縦型カレントミラー

 投稿者：うっかりはちべえ  投稿日：2009年 2月 5日(木)21時08分21秒 		返信・引用 編集済
  今度はTRとP-MOSです｡
 
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